Memoria DDR5 Samsung 128GB 1x128GB 6400MHz CL40 ECC
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Memoria DDR5 Samsung 128GB 1x128GB 6400MHz CL40 ECC
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 128GB 1x128GB 6400MHz CL40 ECC

Memorias RAM

Disponibilidad

Artículo no disponible

Detalles del producto

Código: PROD-048373

EAN: 2860000483733

Part Number: M321RAJA0MB2-CCP

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
128GB
Conexión
DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Latencia
CL40
Velocidad
6400MHz(PC5-51200)
Iluminación
No
Especificaciones

Características

  • Memoria interna - 128 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño) - 1 x 128 GB
  • Tipo de memoria interna - DDR5
  • Velocidad de memoria del reloj - 6400 MHz
  • Componente para - Servidor
  • Forma de factor de memoria - 288-pin DIMM
  • ECC - Si
  • Tipo de memoria con búfer - Registered (buffered)
  • Clasificación de memoria - 2
  • Voltaje de memoria - 1.1 V
  • Retroiluminación - No

Otras características

  • Organización de los chips - 2Rx4
Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 128GB 1x128GB 6400MHz CL40 ECC 


El módulo de memoria RAM Samsung de 128 GB DDR5 a 6400 MHz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) de ultraalta densidad diseñada para satisfacer las demandas extremas de rendimiento, capacidad y fiabilidad en servidores empresariales, centros de datos y entornos de computación de alto rendimiento (HPC). La tecnología DDR5 proporciona un incremento masivo en el ancho de banda y la velocidad de procesamiento frente a generaciones anteriores.

Configurado en una arquitectura de doble rango (2Rx4) y operando a un voltaje eficiente de 1,1 V, este módulo integra búfer de registro y tecnología de corrección de errores ECC (Error Correction Code). Esto permite supervisar y corregir fallos en tiempo real, garantizando la máxima estabilidad del sistema y previniendo interrupciones en infraestructuras críticas que ejecutan cargas de trabajo de inteligencia artificial, virtualización masiva y análisis de datos 24/7.
 
Rendimiento Máximo DDR5 a 6400 MHz: Ancho de banda de alta velocidad de última generación diseñado para acelerar servidores de procesamiento intensivo.

Alta Capacidad de 128 GB y Registro ECC 2Rx4: Módulo de alta densidad con organización 2Rx4 y búfer de registro para maximizar la integridad de los datos.

Eficiencia Energética Superior a 1,1 V: Funcionamiento de bajo voltaje que reduce el consumo de energía y optimiza el perfil térmico del servidor.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes DRAM de primera categoría probados exhaustivamente para entornos de misión crítica.
Seguridad del producto
Opiniones