Memoria DDR5 Samsung 16GB 1x16GB 5600MHz CL46 ECC
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Memoria DDR5 Samsung 16GB 1x16GB 5600MHz CL46 ECC
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 16GB 1x16GB 5600MHz CL46 ECC

Memorias RAM

Disponibilidad

Artículo no disponible

Detalles del producto

Código: PROD-048372

EAN: 5715328199507

Part Number: M321R2GA3EB0-CWM

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
16GB
Conexión
DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Latencia
CL46
Velocidad
5600MHz(PC5-44800)
Iluminación
No
Especificaciones

Características

  • Memoria interna - 16 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño) - 1 x 16 GB
  • Tipo de memoria interna - DDR5
  • Velocidad de memoria del reloj - 5600 MHz
  • Componente para - Servidor
  • Forma de factor de memoria - 288-pin DIMM
  • ECC - Si
  • Tipo de memoria con búfer - Registered (buffered)
  • Clasificación de memoria - 1
  • Voltaje de memoria - 1.1 V
  • Retroiluminación - No

Otras características

  • Organización de los chips - 1Rx8
Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 16GB 1x16GB 5600MHz CL46 ECC 


El módulo de memoria RAM Samsung de 16 GB DDR5 a 5600 MHz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) diseñada para ofrecer un rendimiento superior, máxima densidad y fiabilidad en servidores empresariales e infraestructuras de centros de datos. La tecnología DDR5 ofrece un incremento sustancial en la tasa de transferencia de datos y en la eficiencia energética frente a generaciones anteriores.

Configurado en un diseño de rango único (1Rx8) y operando a un voltaje reducido de 1,1 V, este módulo integra búfer de registro y tecnología de corrección de errores ECC (Error Correction Code). Esto permite detectar y corregir fallos monobit en tiempo real, garantizando la estabilidad del sistema y evitando interrupciones en entornos de trabajo intensivos 24/7.
 
Rendimiento DDR5 a 5600 MHz: Ancho de banda de alta velocidad diseñado para acelerar servidores empresariales y cargas de trabajo de procesamiento intensivo.

Memoria Registrada ECC (RDIMM) 1Rx8: Búfer de registro e integridad de datos de rango único para prevenir la corrupción de datos y maximizar la estabilidad.

Alta Eficiencia Energética a 1,1 V: Funcionamiento de bajo voltaje que reduce el consumo térmico y optimiza el rendimiento energético del servidor.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Fabricación con chips DRAM de primera calidad probados exhaustivamente para entornos de misión crítica.
Seguridad del producto
Opiniones