Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC RDIMM
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Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC RDIMM
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC RDIMM

Memorias RAM

Disponibilidad

Artículo no disponible

Detalles del producto

Código: PROD-048374

EAN: 5715328154490

Part Number: M321R4GA3EB0-CWM

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
32GB
Conexión
R-DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Latencia
CL46
Velocidad
5600MHz(PC5-44800)
Iluminación
No
Especificaciones

Características

  • Memoria interna - 32 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño) - 1 x 32 GB
  • Tipo de memoria interna - DDR5
  • Velocidad de memoria del reloj - 5600 MHz
  • Componente para - Servidor
  • Forma de factor de memoria - 288-pin DIMM
  • ECC - Si
  • Tipo de memoria con búfer - Registered (buffered)
  • Clasificación de memoria - 2
  • Voltaje de memoria - 1.1 V
  • Retroiluminación - No

Otras características

  • Organización de los chips - 2Rx8
Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC RDIMM 


El módulo de memoria RAM Samsung de 32 GB DDR5 a 5600 MHz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) concebida para brindar una estabilidad superior, alta velocidad y máxima fiabilidad en servidores empresariales y centros de datos de última generación. Basado en la arquitectura DDR5, ofrece un incremento notable en la velocidad de transferencia y en el ancho de banda global del sistema frente a generaciones anteriores.

Configurado con una estructura de doble rango (2Rx8) y operando a un voltaje optimizado de solo 1,1 V, integra búfer de registro y tecnología de corrección de errores ECC (Error Correction Code). Esto le permite supervisar, detectar y reparar automáticamente fallos de memoria monobit en tiempo real, evitando cuelgues no planificados y garantizando la continuidad en cargas de trabajo de procesamiento intensivo 24/7.
 
Rendimiento DDR5 a 5600 MHz: Ancho de banda de alta velocidad optimizado para acelerar servidores empresariales y entornos de virtualización.

Memoria Registrada ECC (RDIMM) 2Rx8: Búfer de registro e integridad de datos avanzada de doble rango para prevenir la corrupción de datos.

Alta Eficiencia Energética a 1,1 V: Funcionamiento de bajo consumo con menor generación de calor para mejorar la densidad del centro de datos.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes DRAM de primera categoría probados rigurosamente para infraestructuras de misión crítica.
Seguridad del producto
Opiniones