Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC
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Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC

Memorias RAM

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Detalles del producto

Código: PROD-048371

EAN: 5715328206830

Part Number: M321R4GA3PB0-CWM

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
32GB
Conexión
DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Latencia
CL46
Velocidad
5600MHz(PC5-44800)
Iluminación
No
Especificaciones

Características

  • Memoria interna - 32 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño) - 1 x 32 GB
  • Tipo de memoria interna - DDR5
  • Velocidad de memoria del reloj - 5600 MHz
  • Componente para - Servidor
  • Forma de factor de memoria - 288-pin DIMM
  • ECC - Si
  • Tipo de memoria con búfer - Registered (buffered)
  • Clasificación de memoria - 2
  • Voltaje de memoria - 1.1 V
  • Retroiluminación - No

Otras características

  • Organización de los chips - 2Rx8
Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600MHz CL46 ECC 


El módulo de memoria RAM Samsung M321R4GA3PB0-CWM es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) DDR5 de 32 GB diseñada para ofrecer la máxima densidad, velocidad y fiabilidad en servidores empresariales y centros de datos de última generación. Basado en la arquitectura DDR5, este módulo incrementa drásticamente el ancho de banda y la eficiencia energética en comparación con las tecnologías de generación anterior.

Funciona a una velocidad de reloj de 5600 MHz con una configuración de doble rango (2Rx8) y opera a un voltaje reducido de solo 1,1 V. La tecnología Registered ECC integrada se encarga de supervisar y corregir automáticamente los errores de datos en tiempo real, evitando cuelgues del sistema y garantizando una estabilidad continua en cargas de trabajo de computación intensiva 24/7.
 
Rendimiento DDR5 a 5600 MHz: Ancho de banda de alta velocidad diseñado para acelerar entornos de virtualización, procesamiento de datos y servidores de alto rendimiento.

Memoria Registrada ECC (RDIMM) 2Rx8: Búfer de registro e integridad de datos avanzada de doble rango para la estabilidad operativa en infraestructuras críticas.

Alta Eficiencia de 1,1 V: Menor consumo de energía y menor generación de calor con chip PMIC de administración energética integrado en el módulo.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes DRAM de primera categoría probados exhaustivamente para despliegues empresariales exigentes.
Seguridad del producto
Opiniones