Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 6400MHz ECC RDIMM
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 6400MHz ECC RDIMM

Memorias RAM

Disponibilidad

Artículo no disponible

Detalles del producto

Código: PROD-048376

EAN: 2860000483764

Part Number: MDRR548QDBC2-3

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
32GB
Conexión
R-DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Velocidad
6400MHz(PC5-51200)
Iluminación
No
Especificaciones

Informacion General

  • Marca - Samsung

  • Tipo de producto - Memoria RAM para Servidor

  • Componente para - Servidores y estaciones de trabajo compatibles DDR5 Registered ECC RDIMM

Caracteristicas de Memoria

  • Capacidad de memoria interna - 32 GB

  • Diseno de memoria - 1 x 32 GB

  • Tipo de memoria interna - DDR5 SDRAM

  • Tipo de modulo - Registered DIMM (RDIMM)

  • Velocidad de memoria del reloj - 6400 MHz / MT/s

  • Velocidad de transferencia - PC5-51200R

  • Clasificacion de memoria (Rank) - Dual Rank 2Rx8

  • Organizacion de chips - 2Rx8

  • Factor de forma - 288-pin DIMM

  • ECC (Error Correction Code) - Si (ECC Registrado / RDIMM)

Control de Energia

  • Voltaje de memoria - 1,1 V

Especificaciones Fisicas

  • Factor de forma de pines - 288 pines

  • Cantidad de modulos - 1

Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 6400MHz ECC RDIMM 


El módulo de memoria RAM Samsung MDRR548QDBC2-3 de 32 GB DDR5 a 6400 MHz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) de alto rendimiento, diseñada para infraestructuras profesionales, servidores y estaciones de trabajo que exigen velocidad superior, integridad de datos y un funcionamiento ininterrumpido. Basado en la arquitectura DDR5, ofrece una tasa de transferencia PC5-51200R para maximizar el ancho de banda global del sistema.

Configurado con una estructura de doble rango (2Rx8) y operando a un voltaje optimizado de solo 1,1 V, este módulo integra búfer de registro y tecnología de corrección de errores ECC (Error Correction Code). Esto le permite detectar y reparar automáticamente fallos monobit en tiempo real, garantizando la continuidad del servicio en entornos críticos de virtualización, bases de datos masivas y cargas multitarea intensivas 24/7.
 
Rendimiento Máximo DDR5 a 6400 MHz: Ancho de banda de alta velocidad PC5-51200R diseñado para acelerar plataformas de servidor y agilizar cargas de trabajo exigentes.

Memoria Registrada ECC (RDIMM) 2Rx8: Búfer de registro e integridad de datos avanzada de doble rango para proteger la información contra la corrupción de datos.

Eficiencia Energética Superior a 1,1 V: Operación de bajo voltaje que minimiza el consumo térmico y optimiza la eficiencia energética del centro de datos.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes DRAM de grado empresarial diseñados para ofrecer máxima estabilidad y alta durabilidad.
Seguridad del producto
Opiniones