Memoria DDR5 Samsung 64GB 1x64GB 6400MHz ECC RDIMM
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 64GB 1x64GB 6400MHz ECC RDIMM

Memorias RAM

Disponibilidad

Artículo no disponible

Detalles del producto

Código: PROD-048378

EAN: 2860000483788

Part Number: MDRR644QDBC2-3G000

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
64GB
Conexión
R-DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Velocidad
6400MHz(PC5-51200)
Iluminación
No
Especificaciones

Informacion General

  • Marca - Samsung

  • Tipo de producto - Memoria RAM para Servidor

  • Componente para - Servidores y estaciones de trabajo compatibles DDR5 Registered ECC RDIMM

Caracteristicas de Memoria

  • Capacidad de memoria interna - 64 GB

  • Diseno de memoria - 1 x 64 GB

  • Tipo de memoria interna - DDR5 SDRAM

  • Tipo de modulo - Registered DIMM (RDIMM)

  • Velocidad de memoria del reloj - 6400 MHz / MT/s

  • Velocidad de transferencia - PC5-51200R

  • Clasificacion de memoria (Rank) - Dual Rank 2Rx4

  • Organizacion de chips - 2Rx4

  • Factor de forma - 288-pin DIMM

  • ECC (Error Correction Code) - Si (ECC Registrado / RDIMM)

Control de Energia

  • Voltaje de memoria - 1,1 V

Especificaciones Fisicas

  • Factor de forma de pines - 288 pines

  • Cantidad de modulos - 1

Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 64GB 1x64GB 6400MHz ECC RDIMM 


El módulo de memoria RAM Samsung MDRR644QDBC2-3G000 de 64 GB DDR5 a 6400 MHz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) de alto rendimiento, diseñada para servidores empresariales, estaciones de trabajo y centros de datos que demandan velocidad, densidad y máxima fiabilidad. Basado en la arquitectura DDR5 con velocidad de transferencia PC5-51200R, ofrece un ancho de banda superior para optimizar el rendimiento en las plataformas de servidor más exigentes.

Configurado con una estructura de doble rango (2Rx4) y operando a un voltaje optimizado de solo 1,1 V, integra búfer de registro y tecnología de corrección de errores ECC (Error Correction Code). Esto le permite supervisar y reparar automáticamente fallos de memoria monobit en tiempo real, garantizando la estabilidad del sistema y la continuidad operativa en entornos de virtualización, inteligencia artificial y procesamiento intensivo 24/7.
 
Rendimiento Máximo DDR5 a 6400 MHz: Tasa de transferencia PC5-51200R de alta velocidad concebida para acelerar el procesamiento en servidores de última generación.

Capacidad de 64 GB y Registro ECC 2Rx4: Módulo de alta densidad con organización 2Rx4 y búfer de registro para optimizar la integridad de datos y la estabilidad del bus.

Alta Eficiencia Energética a 1,1 V: Operación de bajo consumo de energía que reduce la disipación térmica y optimiza la eficiencia del centro de datos.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes DRAM de grado empresarial probados exhaustivamente para ofrecer la máxima durabilidad en entornos críticos.
Seguridad del producto
Opiniones