Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM 1.1V
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Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM 1.1V
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM 1.1V

Memorias RAM

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Detalles del producto

Código: PROD-048377

EAN: 2860000483771

Part Number: MDRRWM4QDBC2-3

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
96GB
Conexión
R-DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Latencia
CL52
Velocidad
6400MHz(PC5-51200)
Iluminación
No
Especificaciones

Informacion General

  • Marca - Samsung

  • Tipo de producto - Memoria RAM para Servidor

  • Componente para - Servidores y centros de datos compatibles DDR5 Registered ECC RDIMM

Caracteristicas de Memoria

  • Capacidad de memoria interna - 96 GB

  • Diseno de memoria - 1 x 96 GB

  • Tipo de memoria interna - DDR5 SDRAM

  • Tipo de modulo - Registered DIMM (RDIMM)

  • Velocidad de memoria del reloj - 6400 MHz / MT/s

  • Especificacion JEDEC - PC5-51200R

  • Latencia CAS - CL52

  • Clasificacion de memoria (Rank) - Dual Rank 2Rx4

  • Organizacion de chips - 2Rx4 (x4)

  • Factor de forma - 288-pin DIMM

  • ECC (Error Correction Code) - Si (ECC Registrado / RDIMM)

Control de Energia y Entorno

  • Voltaje de memoria - 1,1 V

  • Intervalo de temperatura operativa - 0 °C a 95 °C

Especificaciones Fisicas

  • Altura del modulo - Estandard (ETS)

  • Factor de forma de pines - 288 pines

  • Cantidad de modulos - 1

Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM 1.1V 


El módulo de memoria RAM Samsung de 96 GB DDR5 a 6400 MHz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) de alta densidad no binaria, diseñada para satisfacer las exigencias de rendimiento e integridad de datos en servidores empresariales y centros de datos avanzados. Cumpliendo con la especificación JEDEC PC5-51200R, ofrece un ancho de banda masivo y latencia optimizada CL52 para entornos de cómputo intensivo.

Configurado con arquitectura de doble rango (2Rx4) y operando a un voltaje reducido de 1,1 V, integra tecnología Registered ECC para detectar y corregir errores monobit en tiempo real. Esto garantiza la máxima continuidad operativa e integridad del sistema en rangos térmicos exigentes (de 0 °C a 95 °C), siendo ideal para virtualización masiva, inteligencia artificial y analítica de datos 24/7.

Rendimiento DDR5 a 6400 MHz (PC5-51200R): Elevada tasa de transferencia con latencia CAS CL52 concebida para acelerar cargas de trabajo críticas.

Capacidad No Binaria de 96 GB con Registro ECC 2Rx4: Módulo de doble rango con organización de chips x4 y búfer de registro para estabilidad del bus de datos.

Eficiencia Térmica a 1,1 V: Bajo consumo energético con amplio rango operativo de temperatura (0 °C a 95 °C) para optimizar el perfil térmico del servidor.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes de grado empresarial en formato de altura estándar (ETS) para máxima compatibilidad y durabilidad.
Seguridad del producto
Opiniones