Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM
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Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM
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Marca: Samsung

Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM

Memorias RAM

Disponibilidad

Artículo no disponible

Detalles del producto

Código: PROD-048375

EAN: 4262552150053

Part Number: M321RYGA0PB2-CCP

Características
Tipo
DDR5
Capacidad
96GB
Conexión
R-DIMM
Kits
1 Módulo
ECC
Si
Latencia
CL52
Velocidad
6400MHz(PC5-51200)
Iluminación
No
Especificaciones

Características

  • Memoria interna - 96 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño) - 1 x 96 GB
  • Tipo de memoria interna - DDR5
  • Velocidad de memoria del reloj - 6400 MHz
  • Componente para - Servidor
  • Forma de factor de memoria - 288-pin DIMM
  • ECC - Si
  • Tipo de memoria con búfer - Registered (buffered)
  • Clasificación de memoria - 2
  • Voltaje de memoria - 1.1 V
  • Retroiluminación - No

Otras características

  • Organización de los chips - 2Rx4
Descripción del producto

Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400MHz CL52 ECC RDIMM 


El módulo de memoria RAM Samsung de 96 GB DDR5 a 6400 MHz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) de alta densidad no binaria y rendimiento optimizado, concebida para servidores empresariales, centros de datos y plataformas de computación de alto rendimiento (HPC). La tecnología DDR5 ofrece un incremento drástico en el ancho de banda y en la eficiencia energética frente a generaciones anteriores.

Configurado en una arquitectura de doble rango (2Rx4) y operando a un voltaje optimizado de solo 1,1 V, integra búfer de registro y tecnología de corrección de errores ECC (Error Correction Code). Esto le permite supervisar y reparar automáticamente fallos de memoria en tiempo real, garantizando la continuidad operativa y la máxima integridad de los datos en cargas de trabajo intensivas de virtualización, bases de datos masivas e inteligencia artificial 24/7.
 
Rendimiento DDR5 a 6400 MHz: Ancho de banda de alta velocidad de última generación diseñado para acelerar el procesamiento en servidores de alta exigencia.

Capacidad de 96 GB con Registro ECC 2Rx4: Módulo de alta densidad con organización 2Rx4 y búfer de registro para optimizar el rendimiento de la memoria del servidor.

Alta Eficiencia Energética a 1,1 V: Operación de bajo consumo energético con administración PMIC integrada que reduce la disipación térmica.

Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes DRAM de primera categoría probados exhaustivamente para entornos de misión crítica.
Seguridad del producto
Opiniones