Características

Tipo

M.2 PCI-E 4.0

Capacidad

2 TB

Conexión

PCI-E

Especificaciones

Factor de forma: M.2 (2280)
Capacidad: 1 TB, 2 TB, 4 TB
Velocidad de lectura secuencial: Hasta 7.250 MB/s
Velocidad de escritura secuencial: Hasta 6.300 MB/s
Código de modelo (capacidad): MZ-V9S1T0BW (1 TB), MZ-V9S2T0BW (2 TB), MZ-V9S4T0BW (4 TB)
Aplicación: Equipos cliente
Interfaz: PCIe® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimensiones (ancho x alto x profundidad): 80,15 x 22,15 x 2,38 mm
Peso: Máximo 9,0 g
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
Controlador: Controlador interno de Samsung
Memoria caché: HMB (búfer de memoria de host)

Características especiales:

Compatibilidad con TRIM: Soportado
Soporte de S.M.A.R.T: Soportado
GC (Recolección de basura): Algoritmo de recolección automática
Soporte de encriptación: Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal, IEEE1667
Soporte de WWN: No se admite
Compatibilidad con el modo de suspensión del dispositivo: Sí

Rendimiento:

Lectura secuencial: 1 TB: hasta 7.150 MB/s, 2 TB: hasta 7.250 MB/s, 4 TB: hasta 7.250 MB/s
Escritura secuencial: 1 TB: hasta 6.300 MB/s, 2 TB: hasta 6.300 MB/s, 4 TB: hasta 6.300 MB/s
Lectura aleatoria (4 KB, QD32): 1 TB: hasta 850.000 IOPS, 2 TB: hasta 1.000.000 IOPS, 4 TB: hasta 1.050.000 IOPS
Escritura aleatoria (4 KB, QD32): 1 TB: hasta 1.350.000 IOPS, 2 TB: hasta 1.350.000 IOPS, 4 TB: hasta 1.400.000 IOPS

Medio ambiente:

Consumo de energía (nivel del sistema): 1 TB: Promedio: lectura 4,3 W / escritura 4,2 W, 2 TB: Promedio: lectura 4,6 W / escritura 4,2 W, 4 TB: Promedio: lectura 5,5 W / escritura 4,8 W
Consumo de energía (inactivo): 1 TB: Típico 60 mW, 2 TB: Típico 60 mW, 4 TB: Típico 60 mW
Consumo de energía (suspensión del dispositivo): 1 TB: 5 mW, 2 TB: 5 mW, 4 TB: 5 mW
Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 %
Fiabilidad (MTBF): 1,5 millones de horas
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 °C
Shock: 1.500 g y 0,5 ms (medio sinusoidal)

Accesorios:

Kit de instalación: No disponible

Descripción del producto

Disco Duro M.2 Samsung 990 Evo Plus Series 2TB PCIe Gen4 x4 NVMe SSD

Disco Duro M.2 Samsung 990 Evo Plus Series 2TB PCIe Gen4 x4 NVMe SSD: Con velocidades de lectura secuencial de hasta 7250 MB/s, el Samsung 990 Evo Plus ofrece un rendimiento un 45% superior al de su predecesor. Este SSD también mejora la eficiencia energética en un 73%, brindando más megabytes por vatio. Además, cuenta con la tecnología Turbowrite 2.0 para un rendimiento óptimo.

Velocidad espectacular todos los días
Realiza las tareas más rápido. El 990 EVO Plus con la última NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuenciales mejoradas de hasta 7.250/6.300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantánea.

Potencia fresca durante todo el día
Eficiencia optimizada, rendimiento extendido. El controlador recubierto de níquel aumenta los MB/s por vatio en un 73%, logrando el mismo nivel de potencia y control térmico con menos consumo de energía. Concéntrese en el trabajo o el juego sin preocuparse por el sobrecalentamiento o la duración de la batería.

Espacio extra. Velocidad extra.
Aproveche toda la potencia de su unidad con Intelligent TurboWrite 2.0 mejorado. Procese datos masivos más rápido y navegue rápidamente a través de gráficos pesados con una región TurboWrite ampliada, ahora disponible con una capacidad de 4 TB.

Software Samsung Magician
Haz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento de SSD. Es una forma segura y fácil de migrar todos sus datos para una actualización de SSD de Samsung. Proteja datos valiosos, supervise el estado de la unidad y obtenga las últimas actualizaciones de firmware.

Dar vida a las innovaciones
Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías innovadoras que han cambiado cada parte de nuestra vida diaria. Esta tecnología flash NAND también alimenta nuestros SSD de consumo, lo que deja espacio para el próximo gran impulso de la innovación.

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Opiniones

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