Características

Tipo

M.2 PCI-E 4.0

Capacidad

2 TB

Formato

SSD

Conexión

PCI-E X4

Especificaciones

Características

Versión NVMe - 2.0
Algoritmos de seguridad soportados - 256-bit AES, TCG Opal 2.0
SDD, capacidad - 2 TB
Factor de forma de disco SSD - M.2
Interfaz - PCI Express 4.0
NVMe - Si
Tipo de memoria - V-NAND
Componente para - PC
Encriptación de hardware - Si
Tamaño de la unidad SSD M.2 - 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura - 7250 MB/s
Velocidad de escritura - 6450 MB/s
Lectura aleatoria (4KB) - 850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) - 1200000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express - x4
Función DevSleep - Si
Revisión PCI Express CEM - 4.0
Soporte S.M.A.R.T. - Si
Soporte TRIM - Si
Tiempo medio entre fallos - 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación - 3,3 V
Consumo de energía (lectura) - 4,3 W
Consumo de energía (escritura) - 3,8 W
Consumo de energía (espera) - 0,055 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) - 3 mW

Peso y dimensiones

Ancho - 80,2 mm
Profundidad - 2,38 mm
Altura - 22,1 mm

Empaquetado

Tipo de embalaje - Caja

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa - 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento - 1500 G

Descripción del producto

Disco Duro M.2 Samsung 990 Series 2TB PCIe Gen4 x4 NVMe SSD

El disco duro SSD interno Samsung de la serie 990 de 2 TB en factor de forma M.2 2280 es una unidad de almacenamiento de estado sólido de ultraalto rendimiento diseñada para PCs de sobremesa y portátiles. Equipado con la interfaz PCIe 4.0 x4 y el protocolo NVMe 2.0, ofrece velocidades de transferencia masivas con lecturas secuenciales de hasta 7.250 MB/s y escrituras de hasta 6.450 MB/s, garantizando tiempos de carga ultrarrápidos y máxima fluidez en cargas de trabajo intensivas, edición de vídeo y gaming de última generación.

Construido sobre la avanzada memoria flash Samsung V-NAND y un controlador propietario in-house, este SSD utiliza la arquitectura Host Memory Buffer (HMB) para maximizar la eficiencia energética y térmica sin comprometer la velocidad. Además, cuenta con cifrado por hardware de disco completo AES de 256 bits, soporte TCG/Opal V2.0 e IEEE1667, garantizando una protección integral de los datos con un consumo de energía extremadamente bajo en modo de reposo profundo (Device Sleep) de solo 3 mW.

Rendimiento PCIe 4.0 de Ultraalta Velocidad: Lecturas secuenciales de hasta 7.250 MB/s y escrituras de 6.450 MB/s con lectura aleatoria de hasta 850K IOPS.

Gran Capacidad de 2 TB y Memoria V-NAND: Integración optimizada de controlador propietario Samsung y memoria V-NAND con fiabilidad MTBF de 1,5 millones de horas.

Seguridad y Cifrado por Hardware: Protección avanzada de datos mediante encriptación AES de 256 bits, TCG/Opal V2.0 y Encrypted Drive (IEEE1667).

Alta Eficiencia Energética: Consumo promedio de 4,3 W en lectura y modo de reposo del dispositivo (Device Sleep) de tan solo 3 mW.

Seguridad del producto

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Opiniones